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自由空间800nm/1064nm太赫兹光电导天线
产品简介
太赫兹光电导天线由制造于低温生长砷化镓（LT-GaAs）衬底上的微带光电导天线（PCA）构成。根据泵浦激光波长的不同，会选用低温生长砷化镓（LT-GaAs）或砷铋化镓（GaBiAs）作为光电导体。其表面采用金锗镍（AuGeNi）金属化工艺形成共面赫兹型偶极子天线结构。在保持最优带宽的前提下，对太赫兹光电导天线的几何结构及光电导体外延层的特性进行了优化，以实现最高的太赫兹辐射输出效率。结果表明，当采用输出功率 30 毫瓦、脉冲宽度小于 150 飞秒的激光泵浦时，典型的太赫兹辐射输出功率可超过 10uw。
光电导天线典型频谱图，左图是LT-GaAs天线的光谱，右图为GaBiAs的光谱
光电导天线输出功率测试，左图是LT-GaAs太赫兹天线的功率输出特性，右图为GaBiAs太赫兹天线的功率输出特性
（以上功率测量使用的功率计为Golay Cell from TYDEX）
产品特点
——> 基于低温生长砷化镓（LT-GaAs）或砷铋化镓（GaBiAs）光电导材料
——> 针对 800 纳米或 1060 纳米左右波长优化设计
——> 光谱范围宽，噪声低
——> 时间分辨率达亚皮秒级
——> 含技术说明书及测试报告
太赫兹发射器从面板侧接受激光束照射，激光束需聚焦于两个电极之间（图 1）。金属触点间的间隙大于激光光斑尺寸。太赫兹辐射由集成透镜收集，该透镜采用高阻硅（HRFZ-Si）制成，安装在 XY 工作台上（图 2）。TERAVIL 提供两种标准类型的此类透镜，分别适配准直或发散太赫兹光束输出。在后一种情况下，光电导天线（PCA）置于硅透镜的齐明点处，以降低太赫兹光束的球差。调节螺钉用于将硅透镜定位至光电导天线（PCA）中心。外壳背面的 SMA 接口用于为太赫兹发射器接入直流或交流偏置电压。三个 M6 螺纹孔均可用于将太赫兹发射器安装在光学平台上（图 3）。
光电导天线产品规格参数
型号 | 太赫兹发射天线 | 太赫兹接收天线 | ||
EMT-8 | EMT-10 | DET-8 | DET-10 | |
光电导天线材料 | LT-GaAs | GaBiAs | LT-GaAs | GaBiAs |
光电导天线芯片尺寸 | 5*1.5mm | 5*1.5mm | 5*1.5mm | 5*1.5mm |
光电导天线芯片厚度 | 600um | 600um | 600um | 600um |
光电导天线类型 | 带状线 | 带状线/偶极子 | 带状线 | 带状线/偶极子 |
偏置电压 | 300 V max, 100 V typical | 50V | 100 V max, 50 V typical | 50V |
中心频率 | 0.5THz | 0.5THz | 0.5THz | 0.5THz |
集成高阻硅透镜参数 | ||||
材料 | 高阻抗硅 HRFZ-Si | |||
类型 | 超半球 | 超半球 | 超半球 | 超半球 |
输出/接收太赫兹发散角 | 准直/发散 | 准直/发散 | 准直/发散 | 准直/发散 |
高阻硅透镜X-Y调节 | ±3 mm | ±3 mm | ±3 mm | ±3 mm |
泵浦激光参数 | ||||
波长 | 800±40 nm | 1060±40 nm | 800±40 nm | 1060±40 nm |
重复频率 | 20-100 MHz | 20-100 MHz | 20-100 MHz | 20-100 MHz |
功率 | <50 mW | <20 mW | <50 mW | <20 mW |
脉冲宽度 | <150 fs | <150 fs | <150 fs | <150 fs |
光电导天线相关配件
型号 | 描述 | 备注 | 产品图片 |
MNT | 光电导天线安装台 | 包括泵浦激光聚焦透镜和XYZ移动台 |
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TMS-100 | 太赫兹发射器偏压源 | 30-70V DC或AC方波输出 |
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PAM | 太赫兹接收器电流放大器 | 带电源的前置放大器 |
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